電力電子裝備、新能源技術(shù)

基于模塊化多電平換流器（Modular Multilevel Converter, MMC）的柔性直流輸配電技術(shù)具有控制靈活、動(dòng)態(tài)響應(yīng)快、弱網(wǎng)連接能力強(qiáng)、便于多端運(yùn)行等顯著優(yōu)勢(shì)，已成為直流輸配電領(lǐng)域的優(yōu)選方案，是我國(guó)可再生能源大規(guī)模開(kāi)發(fā)利用的重要手段。未來(lái)隨著可再生能源開(kāi)發(fā)利用逐步深入，海上光伏、海上風(fēng)電等特定場(chǎng)合的對(duì)換流閥的體積與重量要求較為苛刻，需要MMC實(shí)現(xiàn)輕型化。然而，傳統(tǒng)MMC普遍采用硅絕緣柵雙極型晶體管（Silicon Insulated Gate Bipolar Transistor, Si IGBT）作為功率器件，受制于Si材料的物理極限，Si IGBT性能已接近理論上限，使得MMC子模塊數(shù)目無(wú)法降低、開(kāi)關(guān)頻率難以提升，制約了裝置體積、重量的縮減。

近年來(lái)，以碳化硅（Silicon Carbide, SiC）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件發(fā)展迅猛，其中碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, SiC MOSFET）相比于Si IGBT阻斷電壓更高、開(kāi)關(guān)速度更快、開(kāi)關(guān)損耗更小。將MMC中的Si IGBT替換為SiC MOSFET，有利于MMC縮減裝置體積、提高控制帶寬、優(yōu)化傳輸效率。

因此，本團(tuán)隊(duì)聚焦SiC MOSFET在MMC中的應(yīng)用的機(jī)遇與挑戰(zhàn)，首先基于基礎(chǔ)的半橋MMC結(jié)構(gòu)，將Si IGBT直接替換為SiC MOSFET，針對(duì)SiC MMC存在的器件結(jié)溫不均問(wèn)題和電磁干擾加劇問(wèn)題分別提出了對(duì)應(yīng)的優(yōu)化調(diào)制方法。另一方面，針對(duì)全SiC MMC成本高、導(dǎo)通損耗大的問(wèn)題，本團(tuán)隊(duì)提出Si/SiC器件混合型子模塊和Si/SiC子模塊混合型換流器，以進(jìn)一步優(yōu)化裝置的效率及經(jīng)濟(jì)性。

本成果提出了一種含SiC器件的模塊化多電平換流器及其優(yōu)化控制系統(tǒng)。針對(duì)前述痛點(diǎn)問(wèn)題，本成果對(duì)應(yīng)給出了以下解決方案：

1. 針對(duì)SiC MMC子模塊器件結(jié)溫分布不均的問(wèn)題，提出了一種基于SiC MOSFET雙向?qū)щ娞匦缘淖幽K器件結(jié)溫均衡方法。團(tuán)隊(duì)借鑒Si子模塊器件損耗分析方法，建立了SiC子模塊損耗分析模型。在此基礎(chǔ)上，根據(jù)SiC MOSFET溝道是否雙向?qū)щ?，將SiC MOSFET分為單極工作和雙極工作兩種模式，并對(duì)比了兩種模式的器件損耗分布情況。進(jìn)一步地，引入可自適應(yīng)調(diào)節(jié)的閾值參數(shù)控制兩種模式的自主切換，從而實(shí)現(xiàn)器件損耗的均衡。

2. 針對(duì)SiC器件高阻斷電壓、高開(kāi)關(guān)速度的特性導(dǎo)致MMC電磁干擾增加的問(wèn)題，提出了多種適用于SiC MMC的共模電壓抑制方法。團(tuán)隊(duì)建立了MMC共模電壓分析模型，并分析了SiC器件的應(yīng)用對(duì)MMC共模電壓特性的影響。在此基礎(chǔ)上，揭示了基于最近零共模電壓矢量的共模電壓抑制方法的實(shí)現(xiàn)原理，并分析了其劣化輸出電能質(zhì)量的缺陷。進(jìn)一步地，基于開(kāi)關(guān)矢量分析法，提出了多種改進(jìn)型的共模電壓抑制方法，可在實(shí)現(xiàn)零共模電壓調(diào)制的同時(shí)抑制電容電壓波動(dòng)并提高輸出電能質(zhì)量。

3. 針對(duì)全SiC子模塊成本高、導(dǎo)通損耗大的問(wèn)題，提出了多種Si/SiC器件混合型子模塊方案（包含全橋子模塊方案、投切電容型子模塊（CS-SFB）方案）。通過(guò)優(yōu)化子模塊調(diào)制方法，使SiC半橋高頻工作、Si半橋低頻工作，實(shí)現(xiàn)了器件的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。

4. 針對(duì)由全SiC子模塊組成的單一器件型MMC成本高、導(dǎo)通損耗大的問(wèn)題，提出了Si/SiC子模塊混合型MMC換流器方案。團(tuán)隊(duì)分析了全SiC MMC隨著增壓擴(kuò)容成本、損耗持續(xù)增高的缺陷。然后，通過(guò)改變單一器件MMC各子模塊結(jié)構(gòu)相同、功能一致的架構(gòu)特性，將少量SiC塑形子模塊和多個(gè)Si承壓子模塊串接，構(gòu)成了Si/SiC子模塊混合型MMC。在此基礎(chǔ)上，優(yōu)化了換流器調(diào)制方法，在實(shí)現(xiàn)子模塊電容電壓均衡的同時(shí)使SiC子模塊高頻運(yùn)行、Si子模塊低頻運(yùn)行，提升了器件的利用效率。

圖1 6kW CS-SFB混合型MMC

圖2  10kW Si子模塊/SiC子模塊混合型MMC

基于SiC器件的MMC在未來(lái)具有廣闊的市場(chǎng)應(yīng)用前景，本團(tuán)隊(duì)所研發(fā)的含SiC器件的模塊化多電平換流器及其優(yōu)化控制系統(tǒng)相對(duì)于競(jìng)品方案，具有如下優(yōu)勢(shì)：

1. 解決了SiC器件應(yīng)用于MMC后所產(chǎn)生的結(jié)溫不均及EMI問(wèn)題，可全面提升裝置運(yùn)行的安全性與可靠性；

2. 所提出的多種裝置拓?fù)涑浞挚紤]了SiC器件產(chǎn)業(yè)尚不成熟、成本較高的缺點(diǎn)，通過(guò)結(jié)構(gòu)優(yōu)化，使得兼顧SiC器件低損耗優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，減少了器件用量，保證效率提升的同時(shí)，極大降低了裝置成本，使得產(chǎn)品更具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

在團(tuán)隊(duì)樣機(jī)及設(shè)定測(cè)試環(huán)境下，可實(shí)現(xiàn)以下參數(shù)指標(biāo)：

1. 所提出的SiC子模塊結(jié)溫均衡方案最高可使SiC子模塊結(jié)溫不平衡度降低72.5%；

2. 所提出的SiC MMC共模電壓抑制方法可實(shí)現(xiàn)共模電壓抑制的同時(shí)，使交流側(cè)輸出電流THD和電容電壓波動(dòng)分別降低23.8%和22.4%；

3. 所提出的Si/SiC器件混合型子模塊相比全SiC全橋子模塊在損耗和成本方面分別降低了16.3%和41.0%；

4. 所提出的Si子模塊/SiC子模塊混合型MMC相比全SiC MMC在損耗和成本分別降低31.0%和60.7%。

1. 基于系列成果，獲批國(guó)家級(jí)項(xiàng)目1項(xiàng)，省部級(jí)項(xiàng)目1項(xiàng)，授權(quán)發(fā)明專利10項(xiàng)；

2. 基于相關(guān)項(xiàng)目方案，發(fā)表SCI一區(qū)論文5篇，EI論文6篇，相關(guān)論文獲評(píng)IEEE JESTPE一等獎(jiǎng)（華人團(tuán)隊(duì)首次獲獎(jiǎng)）、電工技術(shù)學(xué)會(huì)優(yōu)秀論文、IEEE SSPEL最佳報(bào)告獎(jiǎng)等多項(xiàng)獎(jiǎng)項(xiàng)；方案樣機(jī)曾參評(píng)多項(xiàng)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽，獲電子設(shè)計(jì)國(guó)家級(jí)競(jìng)賽一等1項(xiàng)、三等獎(jiǎng)1項(xiàng)。

本項(xiàng)目成果研究目前處于已有樣機(jī)階段。

美國(guó)在SiC MMC的方案研發(fā)、產(chǎn)業(yè)推進(jìn)上走在世界前列，采用10kV SiC MOSFET器件的MMC裝置獲評(píng)了美國(guó)能源部PowerAmerica年度最佳項(xiàng)目，目前相關(guān)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程仍在推進(jìn)。國(guó)內(nèi)方面，國(guó)家電網(wǎng)、南方電網(wǎng)公司均已就SiC器件在電網(wǎng)換流器中的應(yīng)用開(kāi)展了大量驗(yàn)證工作，其中雄安新區(qū)將建成采用國(guó)產(chǎn)6500V碳化硅器件的柔性變電站。

SiC器件在中高壓大功器變換器中的大規(guī)模應(yīng)用是大勢(shì)所趨?；贛MC的柔性直流輸配電技術(shù)是直流輸配電領(lǐng)域的優(yōu)選方案，也是我國(guó)可再生能源大規(guī)模開(kāi)發(fā)利用的重要手段，SiC器件的應(yīng)用符合MMC輕型化、高效率的發(fā)展需求，具有廣闊的市場(chǎng)前景。

本團(tuán)隊(duì)全面解析了SiC器件的應(yīng)用給MMC的運(yùn)行、維護(hù)所帶來(lái)的問(wèn)題并提出了對(duì)應(yīng)的解決方案，其中所提出的裝置方案具有完全的自主產(chǎn)權(quán)，同時(shí)較美國(guó)能源部方案效率更高、成本更低，具有充分的競(jìng)爭(zhēng)力。

本成果已授權(quán)了多項(xiàng)中國(guó)發(fā)明專利，以下是部分專利展示：

專利許可、專利轉(zhuǎn)讓、作價(jià)投資、技術(shù)開(kāi)發(fā)、面談等。

本項(xiàng)成果由華中科技大學(xué)“高壓大功率特種電源”團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)，團(tuán)隊(duì)含國(guó)家青年拔尖人才1名、國(guó)家海外優(yōu)青人才2名，累計(jì)出站博士后1人，培養(yǎng)博士研究生13人，碩士研究生40余人。