隨著光模塊高速發(fā)展，AI和數(shù)據(jù)中心要求速率越來越高，體積越來越小，傳統(tǒng)的PD打線鍵合已然滿足不了市場需求，主要體現(xiàn)在：

①信號延遲與寄生電感

較長的鍵合絲不僅增加了信號傳輸?shù)穆窂介L度，還引入了不可忽視的寄生電感，這對于高速信號傳輸，無疑是一大痛點；

②散熱性能

打線鍵合，芯片產(chǎn)生的熱量需要通過芯片背面的散熱路徑傳導至封裝基板，效率相對來說很低，限制了芯片在高功率密度應用中的表現(xiàn)；

③引腳密度和面積限制

受限于鍵合絲的物理尺寸和芯片布局空間，引線鍵合的I/O引腳密度難以大幅度提升，難以滿足日益增長的集成度需求。

倒裝鍵合（Flip chip）大大可以改善封裝技術的格局，芯片通過凸點直接與封裝基板的焊盤進行電氣互連接，芯片的正面朝下，實現(xiàn)了“翻轉(zhuǎn)”式的連接。

表1 技術指標

①800G/1.6T…..高速模塊信號路徑優(yōu)化

倒裝鍵合技術省去了長的鍵合絲，信號可以直接通過凸點與基板連接，大大縮短了信號路徑，有效減少了信號延遲和寄生電感，為后面的高速模塊數(shù)據(jù)傳輸提供了可能

②器件散熱性能更好

芯片與封裝基板的直接連接，使芯片熱量更好的傳遞到基板上面，并通過散熱系統(tǒng)散發(fā)出去，顯著提高了散熱性能，為高性能、高功耗模塊運行提供了可能

③可靠性更高

倒裝技術允許在芯片表面布置更多、更密集的凸點，從而實現(xiàn)更高的I/O引腳密度，有效節(jié)省了封裝面積，為小型化、集成化提供了技術支持，也為器件可靠性提供了保證

已有樣品/樣機。

隨著半導體的技術的不斷發(fā)展，倒裝芯片也在持續(xù)進化，向著更高集成度、更低功耗、更高速度的方向邁進。一方面，隨著新材料、新工藝的應用，凸點尺寸不斷縮小，I/O引腳密度不斷提升，為芯片的小型化和集成化提供更多的可能；另一方面，倒裝芯片技術與先進的封裝技術（如2.5D/3D IC封裝）的結合，正逐步打破傳統(tǒng)封裝的界限，推動著半導體封裝技術向更高層次邁進。

同時，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新領域的興起，對TCB鍵合精度、高可靠性、高穩(wěn)定性提出更高的要求，TCB熱壓倒裝鍵合技術作為提升器件的關鍵手段之一，將在這些領域發(fā)揮更加重要的作用。

應用案例：

發(fā)展規(guī)劃：

2024年：年底交付首臺設備

2025年：獲取光通訊大廠試樣或訂單

2026年：在國內(nèi)外建立相對穩(wěn)定化的市場規(guī)模

知識產(chǎn)權：

該成果已申請/授權多項中國發(fā)明專利。

合作方式：